信号

48MHz 的 HCMOS 晶体振荡器

如图所示为 HCMOS 集成电路组成的 48MHz 晶体振荡器。晶体的基波频率为 16MHz，但振荡器强制工作于三次谐波。谐波振荡器的关键是抑制晶体的基频：图中的并联谐振电路在晶体的基频下谐振，它和晶体 SJT 串联后，对基频的阻抗最高，能有效地抑制基频振荡，保证三次谐波容易起振。

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60MHz 晶体振荡器

如图所示为 60MHz 晶体振荡器，主要由晶体振荡电路和缓冲放大电路等组成。晶体三极管 VT1 为 60MHz 的晶体振荡器，振荡器的输出送至晶体三极管 VT2 的缓冲放大器进行信号放大，其发射极有较大的反馈，使振荡器更稳定。电阻 R5、R6 为偏置，R7 为负载电阻，信号通过电容 C6 耦合输出 60MHz 的高频信号。VT1 集电极回路由电感 L1 及电容 C4、C5 组成并联谐振回路，调节空气可变电容器 C4 使回路谐振在振荡频率 60MHz 上；电感 L3 和电容 C7 组成去耦电路，其…

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300kHz 信号发生器

如图所示为 300kHz 信号发生器。它由 VT1、T1、VD4 及相关元件组成压控振荡器，压控振荡器采用 LC 集电极调谐式：VT1 为振荡管，由变容二极管 VD4、电容 C3～C6 和变量器 T1 的 1～3 绕组的电感组成调谐回路；变容二极管 VD4 反偏工作，控制电压加于负端，以改变其电容量。振荡信号由 T1 的 6～7 绕组输出，其中 C6 是频率微调电容。VD3 稳定振荡级工作电压，稳定电压为 6.8V±0.2V。元器件选择：三极管 VT1 用 3DG6C，β=65～85。二极管 V…

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56～484kHz 高频振荡器

如图所示的高频振荡器可作为高频信号发生器，选择不同的电容值能够在 56～484kHz 范围内产生一个高频正弦波。该电路具有输出波形好、频率稳定度高、输出阻抗低等特点。元器件选择：三极管 VT1、VT2 用 3DG6D，65≤β≤115；VT3、VT4 用 3DG1308，60≤β≤85。半可调电容 C4 用 CCWX-3-5/20pF。石英晶体 SJT 用 BE-42 型。K 用 JZX-10M（小型继电器）。发光二极管 VD4 用 BT-605（红、绿双色）。变压器 T 选用 MXD-2000…

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70MHz 晶体振荡器

如图所示为 70MHz 晶体振荡电路，由晶体振荡器、缓冲放大器、选频放大器等组成。它的主要功能是把晶体振荡器输出的弱信号通过放大电路，再经选频放大后，输出 70MHz 的基频频率信号。元器件选择：三极管 VT1 用 3DG5F，β≥100；VT2、VT3 用 G711D 或 3DG5F，β=60～80；石英晶体 SJT 用 JA-72A-70MHz；色码电感 L4、L5 用 LX-3A-5.6μH；其他元件参数值如图标注。

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70MHz 并联晶体振荡器

如图为 70MHz 并联型晶体振荡电路。振荡器主要由三极管 VT1、晶体 SJT 及电容 C1、C5 等元件组成。元器件选择：电容 C1 为 20pF，C2 为 100pF，C3、C7 为 820pF，C4 为 56pF，C5、C8 为 47pF，C6 为 47μF/50V。电感 L1 为 22μH（色码电感），L2 为 0.3μH。电阻 R1 为 1.6kΩ，R2 为 1kΩ，R3 为 750Ω，R4 为 180Ω/1W，R5 为 1.3kΩ，R6 为 3kΩ，R7 为 360Ω，R8 为 4…

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考毕兹振荡器

如图所示为考毕兹振荡器电路。它带一个基频晶体，其频率为 1499kHz，晶体 SJT 并接在电容 C2、C3 两端。射极分压电阻 R2、R3 提供基本的反馈信号，反馈受电容分压器 C2、C3 的控制。晶体 SJT 起振工作后输入给三极管 VT 基极 1499kHz 正弦波信号，由射极输出器 VT 输出，经耦合电容 C4 送入电位器 RP 输出。电阻 R1 把 18V 电压降压后供给 VT 一个合适的偏置电压，适当调节电阻 R1 可使考毕兹振荡器工作在软激励状态；电阻 R4、电容 C5 构成去耦电…

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稳压管高频信号发生器

利用稳压管的齐纳击穿特性，可以得到频率达数百兆赫的高频信号，其电路如图所示。从输出端 VO1 取出的信号是单一频率信号，可以用来调准调谐回路中的谐振频率；从输出端 VO2 取出的信号是广谱高频信号，可以进行超外差式收音机中输入谐振电路与本振调谐电路之间的统调。发生器的频率范围为 100kHz～27MHz，共分五个频段：100kHz～300kHz～1MHz～3MHz～9MHz～27MHz。信号发生器的输出电压约为 9mV。线圈 L1～L5 绕制在具有微调磁芯的骨架上，L1～L3 用 φ0.1mm …

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56～512kHz 高频振荡器

如图所示为 56～512kHz 高频振荡器电路，由高频振荡器和告警电路组成。技术指标：（1）频率范围 56～512kHz；（2）输出电平 5.5±1dB；（3）频率准确度不超过 ±20Hz；（4）告警信号：停振时告警灯亮，并发出告警声；（5）工作温度 0～45℃ 保证指标，-10～0℃、45～50℃ 可靠工作。元器件选择：三极管 VT1～VT4 用 3DG101C，β=65～85；VT5～VT6 用 3DG1308，β=85～115。石英晶体 SJT 为 101 型石英晶体，晶体用 t 脚座即 …

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高频点灯器

如图所示为高频点灯器电路。它是以 8V～14V 的蓄电池作为能源，经振荡升压后再点亮 6W～12W 的荧光灯。晶体三极管 VT 可采用 3DD12A、D3D4D、3DD5C、3DD15A 等低频大功率三极管，组装时应为其安装 70mm×40mm×2mm 的铝板制散热器；电位器 RP 最好使用小型线绕式的；高频脉冲变压器 T 可用直径 22mm 的铁氧体磁罐自制；线圈 L1 用直径 1mm 的高强度漆包线在骨架上平绕 9 匝；回授线圈 L2 用直径 0.3mm 的高强度漆包线在 L1 外面平绕 8…

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