一、基本原理将交流市电转换为低压直流的常规方法是变压器降压后整流滤波，当受体积与成本限制时，可采用电容降压式电源。电容降压利用电容在交流信号下产生的容抗限制最大工作电流：50Hz工频下，1μF电容容抗约3185Ω，220V交流加于两端时最大电流约70mA。电容电流为虚部电流，其上不产生有功功耗（无功功率），若在电容上串联阻性元件，该阻性元件两端电压与功耗完全取决于自身特性。因此电容降压实质是利用容抗限流，电容起限流与动态分配电压的作用。基本电路：C1为降压电容，D2为半波整流二极管，D1为稳压二…
一、描图法制作印刷板用复写纸将电路图复制到敷铜板上，以描图鸭嘴笔蘸覆盖剂描图，调节笔缝宽度可控制线条粗细，绘出线条边缘齐整。覆盖剂以虫胶溶于酒精并加甲基紫染色，酒精挥发后留下致密紫色虫胶层。晾干（以不沾手为准）后放入三氯化铁中腐蚀，腐蚀完毕清水冲洗，再用酒精洗去覆盖层，打孔后用细砂纸砂亮线路并涂松香酒精液即可。此法可制作1mm宽、1mm间隔的线路板，成本低廉、效率高，适合作实验板。二、热转印法制作印刷板利用电脑设计PCB图后，以激光打印机将图形打印（或复印）在热转印纸光滑面，用电熨斗转印到敷铜板…
一、目测法判管型按部颁标准，三极管型号第二位字母表示材料与极性：A、C为PNP管，B、D为NPN管。例如3AX为PNP低频小功率管、3BX为NPN低频小功率管、3CG/3DG分别为PNP/NPN高频小功率管、3AD/3DD分别为PNP/NPN低频大功率管、3CA/3DA分别为PNP/NPN高频大功率管。国际流行的9011~9018系列高频小功率管中，除9012、9015为PNP外其余均为NPN。二、目测法判管极常用中小功率三极管有金属圆壳与塑料封装（TO-92等）两种外形，电极排列方式见原文图T…
一、电平定义TTL电平：输出高电平>2.4V、输出低电平<0.4V，室温下典型值为3.5V与0.2V；最小输入高电平>=2.0V、输入低电平<=0.8V，噪声容限0.4V。CMOS电平：逻辑“1”接近电源电压、逻辑“0”接近0V，噪声容限大。二、电平转换TTL与CMOS高低电平值不同（如TTL 5V与CMOS 3.3V），相互连接时需电平转换电路。三、功耗与速度TTL空载功耗数十毫瓦，CMOS静态功耗仅数十纳瓦；输出跳变时两类门电路均产生尖峰电流引起动态功耗。TTL速度高…
放大电路的本质是在电源提供的能量支持下，以输入信号控制输出，实现信号幅度的放大，其能量来源是直流电源而非输入信号本身。基本概念：电压放大倍数Au=Uo/Ui，电流放大倍数Ai=Io/Ii，功率放大倍数Ap=Po/Pi=Au·Ai。放大电路的主要性能指标包括增益、输入电阻、输出电阻、频率响应与非线性失真等。输入电阻越大，从信号源索取电流越小，对信号源影响越小；输出电阻越小，带负载能力越强。频率响应反映放大电路对不同频率信号的放大能力，上限频率与下限频率之间的带宽即通频带，增益下降3dB处对应截止频…
三极管有截止、放大、饱和三种基本工作状态。截止状态：发射结反偏或零偏，IC≈0，相当于开关断开；放大状态：发射结正偏、集电结反偏，IC=βIB，用于信号放大；饱和状态：发射结与集电结均正偏，IC不再随IB增大，UCE约0.2~0.3V（硅管），相当于开关闭合。三极管作电子开关时工作于截止与饱和两种状态：基极加足够电流使管子进入深饱和，管压降极小，负载获得近全部电源电压；基极电流撤除后管子截止，负载断电。与机械开关相比，电子开关无触点、无火花、速度快，广泛用于继电器驱动、LED控制、功率管驱动等场…
无线调频话筒（FM话筒）利用调频方式将音频信号调制到FM频段发射，供调频收音机接收。使用与制作时须注意以下事项：频率合规：发射频率应避开本地广播电台频点，并注意无线电管理法规对发射功率的限定，避免干扰他人接收。电源稳定：话筒发射功率与频率受电源电压影响，应使用稳压良好的电源，避免音质漂移与频率跳变。天线匹配：天线长度与工作频率相关，应按规定长度设置，天线位置与方向影响发射距离与接收质量。音频输入电平：话筒输入信号过强易引起过调制失真，应控制输入电平或加限幅电路。防止反馈：近距离使用时喇叭输出可能…
晶体管放大电路按输入输出公共端的不同分为三种基本组态：共射放大：输入端为基极、输出端为集电极，发射极公共。电压、电流均有放大能力，输入输出电压反相，是应用最广的组态，但高频特性较差。共集放大（射极输出器）：输入端为基极、输出端为发射极。电压增益小于1而接近1，输入电阻大、输出电阻小，电流放大能力强，多用于输入级、输出级与缓冲隔离。共基放大：输入端为发射极、输出端为集电极，基极公共。电压增益较高、输入电阻小、高频特性好，常用于高频与宽带放大。三种组态各有特点，实际多级放大器常组合使用：以共射或共基…
三极管的伏安特性由输入特性曲线与输出特性曲线描述。输入特性反映基极电流IB与基射电压UBE的关系，近似于二极管正向特性；输出特性以IB为参量，分为截止区、放大区与饱和区三个区域：截止区IB≈0，集电极电流近似为零；放大区集电极电流IC≈βIB，曲线近似平行，是正常放大工作区；饱和区IC不再随IB线性增大，管压降UCE约为0.2~0.3V（硅管）。主要参数包括：电流放大系数β（hFE）、极间反向电流（ICBO、ICEO）、特征频率fT、集电极最大允许电流ICM、最大耗散功率PCM与击穿电压等。选用…
晶体管放大电路的静态工作点受温度影响显著：温度升高使集电极电流增大，工作点上移，严重时进入饱和区造成失真。常用稳定措施有：分压式偏置：基极采用两只电阻分压固定基极电位，发射极串入电阻引入直流负反馈。当温度升高使集电极电流增大时，发射极电阻压降增大，基射结电压减小，从而抑制集电极电流变化，稳定工作点。该电路为应用最广的偏置方式。负反馈偏置：集电极-基极间跨接电阻，将集电极电位变化反馈至基极，同样抑制工作点漂移，但反馈深度有限。温度补偿：利用热敏元件（如热敏电阻、二极管）的温变特性补偿晶体管参数随温…
