为减小输出纹波，该电路输入端采用全波倍压整流、以提高直流电压来降低输出纹波，实践证明可取得满意效果。若用通常方法将交流 60 V 桥式整流，要得到同样低的输出纹波，输入滤波至少需用 5 只 470 μF/160 V 电容。主要技术指标：输入交流电压 35～70 V，输出直流电压 24 V，输出直流电流 0.65 A，输出纹波（满负载时）小于 15 mV（Vp-p）。
输入端经过电阻 R2 接地，以使其输出端在电源电压降至 4 V 时仍为开路，即两个推挽输出晶体管保持在截止状态。这样可使电源电压上升至 3 V 左右时光耦输出侧仍为低电平，使后接六反相器 4049 能控制 SIPMOS 晶体管。工作阶段光耦输出端开路、使六反相器输出端为高电平、而输出端为低电平。
该电路采用两个 7400 TTL“与非”门，振荡频率可达 18 MHz。两个 820 Ω 电阻必须根据所选取的振荡频率精心调整确定。
HP4320 光电隔离器可在飞船用系统之间隔离高达 200 V 的地电位；在 0～1 MHz 带宽内，无论 DTL 还是 TTL 驱动的电路都有效。
在需要将窄脉冲宽度加宽时可采用图中电路。以图中所示参数，可将 3 μs 宽的脉冲加宽成 1.2 ms 宽的脉冲；因有 100 kΩ 电阻的负反馈，使输出信号 Ua 更加稳定。
该电路振荡频率范围为 100 kHz～5 MHz，工作特性由源极电阻确定、利用微调电容可调节频率。输出电阻较高，后接一个源极跟随器作隔离器可克服这一缺点。
在 TDA4700 输出晶体管导通时 T1 也导通，其射极电流由 R3 限制、并经由 D3 控制 T3；同时 T2 基极对发射极为正、故 T2 截止、T4 也截止。若 SIPMOS 输出晶体管截止则 T1、T3 截止，SIPMOS 晶体管输入电容经 T2、R4 充电、于是 T4 由 T2 控制、加速了放电过程。该电路优点是吸收的电流很小、而控制的电流也很小，特别适于有高开关频率的并联运行电路。
利用 CMOS 反相器 4049 作 TDA4700 输出信号的反相级和晶体管 T1、T2 的驱动级；三个反相器并联，输出端分别加到推挽电路两个晶体管基极上。电阻 R2 用来在控制电路不能保证足够电压时给 SIPMOS 管门极提供一个一定电位、防止误导通；电容器 C3 用来缩短时间常数 R2·Cbe（Cbe 为晶体管 T 基-射极间电容）。
该电路输入端接集成电路 TDA4700，当其中输出晶体管导通时 T1 基极上就加有由 R1、R2 决定的电压，二极管 D1、D2 用于防止 T1 过饱和。若 TDA4700 输出晶体管截止，则 T1 截止、T2 由 R4 控制，此时 SIPMOS 晶体管输入电容（跨接在 R5 与 T2 串联电路两端）作为限流电阻。因采用推挽控制方式，电路电流消耗很小。
该电路采用 TAA293 作为阈值开关，1 kΩ 电阻主要用于调整光敏电阻值和阈值开关的阈值。两电路适用场合：光照度大于 1000 lx（Q 端高电平）、光照度小于 300 lx（Q 端低电平）。
