信号

TTL 晶体振荡器

将石英晶体与对称多谐振荡器中的耦合电容串联起来，即构成石英晶体振荡器，其振荡频率取决于石英晶体的谐振频率，与电路中的 R、C 无关。图（b）将图（a）电路中的耦合电容换成了耦合电阻。图（c）、（d）是图（a）、（b）的变形，也是两种实用的电路。

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状态变量滤波器 SVF 型多相输出振荡器

上图在 SVF 的基础上简单附加了平均值滤波电路和 JFET，由 JFET 作为可变电阻式 AGC 实现稳幅。上图则改用比较器实现 AGC，比较器的输出幅度由平均值检波电压决定。

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音叉振荡器

图（a）电路采用稳压管 D1 限幅，音叉的输入与输出之间移相 180°；图（b）电路采用晶体管饱和限幅，由晶体管反相 180°。

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门电路构成的石英晶体并联谐振振荡器

石英晶体在外加电压作用下会产生压电效应，晶体随之产生机械振动；当外加电压的频率与晶体固有振荡频率相同时，晶体的机械振幅最大，产生的交变电场也最大，形成压电谐振。由石英晶体的电抗频率特性可知，它有两个相当接近的谐振频率，即串联谐振频率与并联谐振频率：处于串联谐振时电抗最小，处于并联谐振时电抗最大；工作在这两个频率之间时晶体呈电感性，偏离这两个频率之外时晶体呈容性。图 A 是工作于串联谐振状态的 TTL 门电路振荡器。当电路频率为串联谐振频率时，晶体的等效电抗接近零（发生串联谐振），串联谐振频率的信…

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CMOS 门压控振荡器

如图所示电路中，A1、A2 两个非门组成自激多谐振荡器，随着外加控制电压 Vcc 的大小不同，电路振荡频率亦随之变化。Vcc 值在门电路阈值附近时对 RC 充放电影响最小，故电路振荡频率最低；Vcc 偏离门电路阈值越大，电容充放电越快，电路振荡频率越高。

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由 CD4007 构成的压控振荡器

本压控振荡器如图所示。压控信号 Vi 由低通滤波器 R1～R3、C1～C2 向变容二极管 VD1～VD3 提供一个随频率及相位变化的直流电压，该电压与电感 L、电容 C3、C4、变容二极管 VD1～VD3 以及集成电路 IC（CD4007）共同构成 VCO（压控振荡器），决定其输出频率。

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快速同步压控振荡器

本电路的主要作用是把分相器和数／模转换器结合起来，使高稳定度的压控振荡器与外部的基准频率精确地同步。

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双 D 触发器式的 VCO

如图所示为双 D 触发器式的 VCO。电路输出占空比为 50% 的方波信号，而消耗的电流很小；输入电压为 5～12V 时，输出频率范围为 20～70kHz。首先假设 IC-A 的初始状态是 Q=低电平，此时 VD1 被关断，Vi 通过 R1 向 C1 充电。当 C1 上的电压达到一定电平时，IC-A 被强制翻转，其 Q 输出端变成高电平，C1 通过 VD1 放电；同时，IC-A 的 CL 输入端也变成低电平，强制 IC-A 再翻回到 Q=低电平。由于 R2 和 C2 的延时作用，可以保证在 IC…

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压控占空周期振荡器

如图所示电路以 555 定时器构成自激多谐振荡器，场效应管 VT1 作压控电阻（VVR）：通过改变源-栅间电压 VGS，可以改变该 JFET 漏极（D）和源极（S）之间的电阻。两个耦合电容 C1 和 C2 可以避免电路其余部分的直流电压影响 VT1。为了不使耦合电容影响 555 定时器的充、放电时间，耦合电容 C1 和 C2 之值应取定时电容的十倍，同时可以在 VT1 的 D 极和 S 极间得到一个压变电阻 RDS，并由此产生可随 VGS 变化的占空周期。RDS 可变到 100kΩ；为获得占空周…

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具有三角波和方波输出的压控振荡器

如图所示为具有三角波和方波输出的压控振荡电路。该电路是一个受控制电压控制的振荡器，具有很好的稳定性和极好的线性，并有较宽的频率范围；电路有两个输出端，一个是方波输出端，另一个是三角波输出端。图中 A1 为倒相器，A2 为积分器，A3 为比较器；场效应管 Q1 用来变换积分方向，比较器的基准电压由稳压二极管 D1、D2 提供，积分器的输出与基准电压进行比较产生方波输出。电阻 R5、R6 用来降低 Q1 的漏极电压，以保证大输入信号时 Q1 能完全截止；电阻 R7、R8 和二极管 D3、D4 是为了…

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