为产生能在0～3 MΩ电阻上输出的1 mA恒定电流（用于仪器研制），可用UC3845配合12 V蓄电池设计恒流源。变压器采用彩色电视机高压包：L1用漆包线在原高压包磁芯上绕24匝，L3借用原高压包的一个线圈，L2借用高压包的高压部分。L3与LM393构成限压电路，限制输出电压过高；调节R10可调节开路输出电压。
图中主振器以1488 kHz石英晶体谐振器稳频，其输出经分频器分频，可得到4 kHz、12 kHz、124 kHz三种不同方波信号输出。三极管VT1、VT2、VT4、VT6选用3DG6C（β=50～85），VT3选用3CG3D（β=50～85），VT5选用3DG130B（β=65～115）。变量器T采用罐形铁氧体，型号MTT22F：L1-2用φ0.35 mm高强度漆包线绕36匝，L3-4用φ0.31 mm高强度漆包线绕21匝。A1～A9为SG8228的D型CMOS触发器（每块含两只D触发器），A…
图中为开关电源的驱动电路。驱动电路的主要功能是将脉宽控制器输出的可变宽度脉冲进行功率放大，以作为高压功率开关器件的驱动信号。驱动电路一般都具有隔离作用，常用变压器耦合方式实现对高压功率开关器件的激励以及输入级与输出级之间的隔离，同时还对功率开关器件关断时施加反向偏置，以加速器件关断。当驱动MOSFET时，常规驱动电路用一个驱动变压器实现。考虑到变压器漏感与引线电感会给具有较大Cg-s的主MOSFET高速充放电造成困难，通常的方式是利用驱动变压器驱动一只具有较小Cg-s的MOSFET图腾式驱动电路…
图中为多功能简单充电器电路。其工作原理与元件选择如下：R1、R2、C1构成无滞后反馈控制，用于增加控制范围；R3、RP、C2为移相及相位控制调节；VD与双向可控硅3CTS构成触发控制，其中双向晶闸管3CTS根据所需功率大小可选用BTA26A、BCR3M～12M等型号；R4、C3为浪涌吸收网络；R5、C4使负载近似为阻性；VD1～VD4整流器根据所需功率选择型号；C5为滤波电容，单作充电时可不用；变压器T（220 V/30 A）容量视输出功率大小而定。对于小功率充电器，虚线框内的元件可用成品调光器…
图中用固定式三端集成稳压电路7805实现连续可调直流稳压输出。R1取220 Ω、R2取680 Ω用于调整输出电压，输出电压近似为Uo ≈ Uxx · (1 + R2/R1)，可在5～12 V范围内连续可调。实际应用要点：（1）固定R1、改变R2即可获得连续可调的输出；（2）最高输出电压受7805最大输入电压（35 V）及最小输入-输出压差（须保持2 V以上）限制——本电路直流输入为+14 V，故输出最大值为+12 V；（3）实验表明，在稳压范围内稳压精度可达±0.03。
图中为石英晶振与分频电路。开关S1与分频输出的关系见下表。元件选择：分频IC CC4020为国产型号，也可选用国外型号CD4020或MC14020直接代换。三极管VT1、VT2选用9014（β=150～250），VT3选用9015（β=150～250）；VT2、VT3也可选用其他型号三极管，但必须同为锗管或同同为硅管，并尽可能参数一致。石英晶体SJT型号为ZWB-1 MHz。开关S1为波段开关（KZX-1-1D-9W型），S2为KNX(1×1)型；电阻标称功率均采用1/8 W金属膜电阻，其他元件…
图中为压控正弦波振荡电路，由MC1046B构成。当控制输入电压为0～5 V时，输出可获得频率为0～20 kHz的正弦信号。频率范围由电阻R1与电容C决定，改变电阻与电容可改变振荡频率；若在12脚外接电阻R2，可平移振荡频率范围，例如选择R2=2R1时，振荡频率变为10～30 kHz。
图中为以LM2622构成的三输出电压（23 V、8 V、−8 V）电源电路。LM2622为600 kHz升压型PWM DC/DC变换器，可将3.3 V输入电压变换为8 V、−8 V与23 V三路输出，输出电流可达1.6 A。可使用滤波器与低噪声元件，工作电压可低至2.0 V。
图中电路结构虽简单，但可从两只相同的次级绕组中产生三组直流电压——某些微处理机所需的+5 V、−5 V和+12 V。电路的关键在于二极管D2、D3的连接方式：二者跨接在E2、E3两组交流电源之间，起着全波整流作用。正半周时E2经D2对C2充电，电流路径为b→C2(+)→C2(−)→D2→a；负半周时E3经D3对C3充电，路径为d→D3→C2(+)→C2(−)→c。二极管D1与D4则构成一般的半波整流。两只三端稳压器7805的输入端电压分别由C2、C3提供，而7812的输入端电压由C1与C2上的电…
图中为以MIC5158构成的输出电压1.3～36 V连续可调的线性稳压器电路。图中若分压器中的电阻R2取10 kΩ，则输出电压Vout与可变电阻R1之间的关系由分压比决定，通过调节R1即可连续改变输出电压。（a）为不可控型，（b）为可控型。
