用光电耦合器隔离的正激变换式开关稳压电源如图22所示。正激式开关电源不宜简单地靠增加次级绕组实现隔离，而采用光电隔离效果较好。VT1为开关管，VT2与光电耦合器VT3的光敏三极管构成复合变阻管，VT4、VT5组成复合误差放大管；N2为供直流输出与取样的次级绕组，另有一绕组作自激振荡正反馈。直流输出虽与误差放大器取样电路合一，但放大器输出以光的形式耦合到开关管VT1基极，实现取样电路与开关管的电隔离。主要技术指标：输入电压176～240V、5～1000Hz；输出电压5V±0.5V；输出电流10A；…
太阳能充电电路如图21所示，采用CD4069（6门反相器，可用74HC04代替）、场效应管VT、二极管VD及阻容元件构成。太阳能电池接A、B两端，被充电的镍镉电池接M、N两端。
图20为恒压/恒流电源原理图，由扩展电流、恒压与恒流三部分组成。两只功率晶体管3CF5并联作为扩流管，R3为限流电阻，R2为电流调节电位器，R为电压调节电位器。工作原理与大电流集成稳压电源及恒流源相同，可提供1.25～30V稳压输出和0～5A恒流输出。
由HM1500/1520湿度传感器与单片机构成的智能湿度测量仪电路如图19所示，采用5V电源，配4只共阴极LED数码管，共用3片IC：IC1为HM1500/1520湿度传感器，IC2为带10位ADC的单片机PIC16F874（Microchip公司），IC3为7路达林顿反相驱动器阵列MC1413。PIC16F874内含8路逐次逼近式10位A/D转换器，最多可对8路湿度信号做模数转换，现仅用一路。JT为4MHz石英晶体，配合振荡电容C1、C2提供4MHz时钟。其电源电压2.5～5V，静态电流小于2…
由带三线串行接口温度传感器DS1620构成的小型电加热器控温电路如图18所示。当t<tL时，TL输出高电平，将½CD4044型RS触发器置1，Q=1使TMOS场效应管2N6659导通，接通电加热器电源。2N6659的UDSO=35V，PD=6.25W。
图17为升压输出式实用电路。VT3为开关调整管，稳压管VD2用于电位变换，VT4为倒相隔离放大器，VT4与其33kΩ负载电阻对Ui分压，两电压分别供给由变压器T和VT1、VT2构成的脉冲发生器；该发生器为非对称变压器正反馈自激多谐振荡器。VT1供电取自33kΩ电阻电压，该电流取决于VT4电流，VT1、VT2供电不同，振荡各半周幅值成正比、宽度成反比变化，进而控制VT3导通与截止时间。输出电压升高时，误差放大器差分对管VT6电流增大、VT5电流减小，集电极电位升高，VT4电流增大，33kΩ压降增大…
由MIC5158构成的恒流充电电路如图16所示。该电路在整个充电过程中提供恒定电流（35mV/R3），直至电池电压充至浮充电压Uf1=1.235(1+R1/R2)。达到浮充电压后MOSFET关闭，充电电流改由R4提供通路。
用DS1620监控微处理器温度时，通过开闭风扇改变芯片散热条件可实现恒温控制，电路如图15所示。其特点是将TCOM信号经2N7000 MOSFET控制风扇：当芯片表面温度t>tH时开启风扇，并保持直至t<tL才关闭。2N7000的主要参数为漏极开路漏-源击穿电压UDSO=60V、额定通态电流IT=280mA、最大连续输出功率PD=830mW；驱动较大功率风扇时可选2N7010型MOSFET，其IT=1.3A，PD=1.2W。
输出电压绝对值低于或等于输入电压绝对值的为降压式开关电源；升压式斩波型开关电源输出电压绝对值必须高于输入电压且极性相同，电路如图14所示。开关元件受控饱和导通时电流通过电感储能；截止时电感储存的能量经二极管VD供给负载并对C充电，负载电压下降时C放电，从而获得高于输入的稳定电压。因开关元件VT与负载RL并联，故又称并联开关电源。
UGN-3501T霍尔传感器灵敏度较高，能感知微小磁场变化，可用于检测黑色金属的有无，并据此构成计数器，电路如图13所示。当钢球滚过传感器位置时，传感器输出峰值为20mV的脉冲，经μA741运放放大后驱动2N5812三极管完成导通、截止过程；将计数器接于2N5812输出端即可计数。
